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中国南科集团
发布时间:2006-10-10    来源:转载   阅读次数:2031 分享到:

  中国南科集团是由吴纬国博士所创立。集团主要从事高新技术集成电路生产包括:单晶硅晶圆制造(SILICON WAFER)、晶圆加工(WAFER FOUNDRY)、集成电路设计(IC.DESIGN)及集成电路测试(TESTING)与封装(PACKAGE)。

    请
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    中国南科集团旗下有:
    1、珠海南科电子有限公司(ATC),1989年创立。
    2、珠海南科单晶硅有限公司(SILICONA),1996年创立。
    3、珠海南科集成电子有限公司(ACSMC),1999年创立。
    4、广州南科集成电子有限公司,2003年创立。
    5、广州南科单晶硅有限公司,2003年创立。
  
    珠海南科电子有限公司 (ATC) 是一九八九年创立的从事半导体产业之后段生产的高科技公司,主要从事集成电路测试、封装。

  南科电子有限公司积极拓展国内、外市场。

  南科电子有限公司重视品质与服务,愿在高新技术领域内为中国之现代化尽一份力量!
  
  珠海南科单晶硅有限公司 (Silicona) 是一九九六年三月创立的从事生产及销售半导体原材料 — 单晶硅(矽)抛光晶片的专业化公司。

  本公司拥有先进的晶体生长、切片、倒角、研磨及抛光技术和设备,同时拥有一流抛光晶片检测、清洗设备及质量控制中心,再辅之以各项现代化管理制度,使得本公司产品 — 各种直拉型 (CZ) 的 4 英寸 、 6 英寸 晶片畅销香港、台湾、美国等地。目前晶片月生产能力达六万片。
公司秉承高效进取、务实合作的企业宗旨,竭诚希望成为您未来事业伙伴。

  珠海南科集成电子有限公司 (ACSMC) 是一九九九年初创建的集成电路制造企业,是我国现有的 六英寸 集成电路生产厂家之一,也是我国华南地区唯一一家从事 六英寸 晶圆代工业务的专业公司。生产规模为月产 6 英寸 晶圆 15000 片,其中金属栅工艺:低压 1.5μm ,高压 3μm-7μm ;硅栅工艺:0.6μm -1.2μm 。

  公司拥有先进的生产设备和现代化的生产车间,并拥有一批高素质的资深技术骨干和管理人才。公司自投产以来产量稳定、品质可靠。

  公司以“科技创新”为目标,以“与客户共同创造价值”为服务宗旨,竭诚为广大客户提供最优良的产品和服务。

  ACSMC 愿与您一道携手共进,共创集成电子技术新纪元!

  广州南科单晶硅有限公司 是二零零三年创立的半导体高科技公司,主要从事 6 英寸 单晶硅片的制造和太阳能用多晶硅的制造。

  广州南科集成电子有限公司 是二零零三年创立的集成电路制造高科技公司,主要从事 6 英寸 IC 芯片制造,芯片封装、测试和发光二极管( LED )的制造。  

  公司将一如既往遵循“诚实守信、保质保量”的宗旨,愿与海内外客户朋友加强合作,共同发展。

南科集团郑重推出1.5微米低压金属栅晶圆代工工艺(PMC05K)

1、工艺特点:

(a)单管耐压可达9V,适合1.5~5V低压工作;
(b)器件驱动力优于1.2微米硅栅及0.6微米硅栅;
(c)适合具有内建电容及三极管产品之应用,可大幅减少芯片面积;
(d)使用N衬底硅片,可内建生成电阻;
(e)仅需三块掩膜版即可完成CMOS产品——大幅度节省开发成本;
(f)低廉的代工费——低于1.2微米硅栅工艺;
(g)快速的交货周期——投片10天即可产出。

2、1.5μm金属栅(PMC05K)与其它工艺电性相比较:

  新工艺 其它工艺
1.5μm金属栅 3.0μm 金属栅 1.2μm硅栅 0.6μm硅栅
(1)耐压(V) 9 >6.5 >11 >9
(2)开启电压(V) 0.6 0.6 0.9 0.9
(3)N-管饱和电流(W=30μ)
(VDS=VGS=5V)(mA)
15 3.2 7.5 9.6
(4)P-管饱和电流(W=30μ)
(VDS=VGS=5V)(mA)
6 1.5 3.8 4.8

南科集团郑重推出3.0微米高压金属栅晶圆代工工艺(TC3)

1、工艺特点:

(a)单管耐压可达18V,适合9~12V高压工作;
(b)仅需三块掩膜版即可完成CMOS高压工艺——较低的产品开发成本;
(c)器件性能优于3.0微米及2.0微米硅栅工艺;
(d)低廉的代工费——低于2.0微米及3.0微米硅栅;
(e)快速的交货周期——投片10天即可产出。

2、与其它工艺电性相比较:

  TC3 TC7 2.0μm硅栅 3μm硅栅
(1)耐压(V)  >18V >22V >13V >16V
(2)开启电压(V) 0.6 0.6 0.7 0.7
(3)N-管饱和电流(W=30μ)
(VDS=VGS=5V)(mA)
3.0 0.77 5.25 3.0
(4)P-管饱和电流(W=30μ)
(VDS=VGS=5V)(mA)
1.2 0.38 2.25 1.2
(5)栅极尺寸(μm) 3.0 7.0 2.0 3.0


 

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